[发明专利]一种表面活性剂辅助气相生长III-V族半导体纳米线的方法有效
| 申请号： | 201910400878.7 | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110079787B | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 杨再兴;孙嘉敏;高兆峰 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C16/455;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨磊 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种表面活性剂辅助气相生长小直径、高性能III‑V族半导体纳米线的方法，包括：采用双温区气相法生长；双温区包括源区和生长区，源区放置III‑V族半导体源材料，用于提供源材料；生长区放置覆盖有Au膜催化剂的衬底，用于纳米线的生长；源区和生长区之间放置表面活性剂，用于改良纳米线。本发明可以制备出直径小于10nm的III‑V族纳米线，同时实现对其直径、电学性能的控制。同时，本发明采用的化学气相沉积方法制备III‑V族纳米线，条件简单，成本低廉。所采用的表面活性剂只在生长的纳米线表面与V族元素形成化学键，而没有掺杂到纳米线中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面活性剂 辅助 相生 iii 半导体 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1.一种表面活性剂辅助气相生长小直径、高性能III‑V族半导体纳米线的方法，包括：采用双温区气相法生长；所述的双温区包括源区和生长区，所述的源区放置III‑V族半导体源材料，用于提供源材料；所述的生长区放置覆盖有Au膜催化剂的衬底，用于纳米线的生长；源区和生长区之间放置表面活性剂，用于改良纳米线。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
