[发明专利]一种微电极及其形成方法在审
| 申请号： | 201910389541.0 | 申请日： | 2019-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN110104609A | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 李俊杰;王文武;吴立冬;李永亮;张青竹;殷华湘;杨涛;傅剑宇;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82B1/00;H01B5/14;H01B13/00;B82Y5/00;B82Y10/00;B82Y15/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例公开了一种微电极及其形成方法，提供衬底，衬底上形成有图案化的掩膜层，以掩膜层为掩蔽，对衬底进行刻蚀，形成衬底上的间隔墙，间隔墙的底部的宽度可以大于顶部的宽度，在衬底上形成绝缘层，去除间隔墙形成沟槽，在绝缘层上形成电极层，且电极层由沟槽实现了自然隔离，即沟槽作为电极层的间隔。由于电极层的间隔可以根据沟槽的宽度确定，而沟槽的宽度可以根据间隔墙的宽度确定，间隔墙的宽度又可以根据掩膜层的宽度确定，因此，只要得到尺度较小的掩膜层，即可得到尺寸较小的电极层的间隔，避开了现有技术中直接对电极层进行刻蚀的工艺，降低了刻蚀难度以及硬件要求，从而降低了形成电极的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 电极层 间隔墙 衬底 掩膜层 刻蚀 绝缘层 微电极 掩蔽 对电极层 硬件要求 电极 图案化 去除 避开 尺度 隔离 申请 | ||
【主权项】：
1.一种微电极的形成方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有图案化的掩膜层；以所述掩膜层为掩蔽，对所述衬底进行刻蚀，形成所述衬底上的间隔墙，所述间隔墙在底部的宽度大于顶部的宽度；在所述衬底上形成绝缘层，去除所述间隔墙形成沟槽；在所述绝缘层上形成电极层，所述沟槽将所述电极层隔开。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910389541.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
