[发明专利]能够得到90nm以下Trench及Hole图形的ArF光刻胶及其制备方法与应用有效
申请号: | 201910388230.2 | 申请日: | 2019-05-10 |
公开(公告)号: | CN110283274B | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 邓云祥;袁自强;袁敏民 | 申请(专利权)人: | 珠海雅天科技有限公司 |
主分类号: | C08F220/22 | 分类号: | C08F220/22;C08F232/08;C08F220/18;G03F7/004 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 俞梁清 |
地址: | 519000 广东省珠海市横琴新区环*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种能够得到90nm以下Trench及Hole图形的光刻胶及其制备方法与应用,所述化合物包含下述结构单元中的至少两种:(a1):具有通过水解而产生酸性基团的结构单元;(a2):能形成刚性主链的结构单元;(a3):具有环状基团的结构单元;若含,则所述结构单元(a2)的摩尔占比为1~80%;若含,则所述结构单元(a3)的摩尔占比为20~99%。与现有技术相比,本发明方案的化合物能够用于获得尺寸在200nm以下的高分辨率Trench及hole图形,最高分辨率为46nm直径Hole,Iso space的分辨率可达到120nm、DOF 200nm。 | ||
搜索关键词: | 能够 得到 90 nm 以下 trench hole 图形 arf 光刻 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种能够得到90nm以下Trench及Hole图形的ArF感光树脂,其特征在于:所述树脂包含下述结构单元中的至少两种:(a1):具有通过水解而产生酸性基团的结构单元;(a2):能形成刚性主链的结构单元;(a3):具有环状基团的结构单元;若含,则所述结构单元(a2)的摩尔占比为1~80%;若含,则所述结构单元(a3)的摩尔占比为20~99%。
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