[发明专利]能够得到90nm以下Trench及Hole图形的ArF光刻胶及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种能够得到90nm以下Trench及Hole图形的ArF感光树脂，其特征在于：所述树脂包含M1、M2和M3结构单元，或包含M6和M7结构单元；

所述M1的结构式为M2的结构式为

M3的结构式为所述M6的结构式为所述M7的结构式为M1、M2和M3的投料质量比为16.5：15：5，M6和M7的投料质量比为14：32。

2.一种能够得到90nm以下Trench及Hole图形的ArF光刻胶，其特征在于：所述光刻胶的制备原料包括如下成分：(A)如权利要求1所述的ArF感光树脂；(B)ArF光敏剂；(C)酸扩散终止剂；(D)溶剂及添加剂。

3.根据权利要求2所述的能够90nm以下Trench及Hole图形的ArF光刻胶，其特征在于：所述成分(B)满足以下条件：

1)摩尔吸光系数小于5×10^-5L/(mol·cm)；

2)金属离子含量小于10ppb。

4.根据权利要求2所述的能够90nm以下Trench及Hole图形的ArF光刻胶，其特征在于：所述成分(B)包含由下式表示的化合物：

通式(4A)、(4B)、(4C)中，Rd₁、Rd₂、Rd₃、Rd₁’、Rd₂’、Rd₃’、Rd₁”、Rd₂”、Rd₃”、Rd₄”各自独立地表示有机基团且选自C1-C20的直链烷基、C1-C20的分支烷基或C1-C20的芳基；

取代基Rd₁、Rd₂和Rd₃中的至少两个可经由单键或键联基团连接成环，键联基团选自酯键、酰胺键、羰基、亚甲基、亚乙基或醚键；

X^-表示非亲核性阴离子且选自磺酸根阴离子、双磺酰基酰胺阴离子、三磺酰基甲基阴离子。

5.根据权利要求4所述的能够90nm以下Trench及Hole图形的ArF光刻胶，其特征在于：所述X^-选自下式表示的阴离子：

通式(5A)、(5B)、(5C)中，Re₁表示C1-C10的烷基或C6-C20的芳基衍生物，Re₁’、Re₂’、Re₁”、Re₂”、Re₃”各自独立的表示C1-C10的亚烷基衍生物；所述C1-C10的烷基或C1-C10的亚烷基衍生物为在α位处经氟原子或氟烷基取代的C1-C10的烷基或C1-C10的亚烷基，所述C6-C20的芳基衍生物为经氟原子或氟烷基取代的C6-C20的芳基。

6.根据权利要求2所述的能够得到90nm以下Trench及Hole图形的ArF光刻胶，其特征在于：成分(C)包括以下化合物中的至少一种：叔胺化合物、酰胺化合物、氢氧化季铵化合物或含氮杂环化合物。

7.根据权利要求6所述的能够得到90nm以下Trench及Hole图形的ArF光刻胶，光刻胶为多组分溶液，其特征在于：所述叔胺化合物包括三正丁胺、三正戊胺、三正辛胺、三正癸胺、三异癸胺、二环己基甲胺、二甲基十一烷胺、二甲基十二烷胺、二甲基十八烷胺、甲基二(十八烷基)胺、N,N-二丁基苯胺、N,N-二己基苯胺、2,6-二异丙基苯胺、三乙醇胺、N,N-二羟基乙基苯胺和三(甲氧基乙氧基乙基)胺中的至少一种；

含氮杂环化合物选自2-苯基苯并咪唑、2,4,5-三苯基咪唑、N-羟基乙基哌啶、4-二甲基胺基吡啶、安替比林和羟基安替比林中的至少一种。