[发明专利]一种双栅型真空场发射三极管结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201910387801.0 | 申请日： | 2019-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN110246889B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 吴胜利;龙铭刚;张劲涛;刘逸为 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双栅型真空场发射三极管结构及其制备方法，属于信息技术领域和真空微电子器件领域。三极管结构包括底栅极、底栅绝缘层、源漏电极、导电薄膜、顶栅绝缘层、顶栅极和纳米级的真空沟道。双栅型真空场发射三极管可实现对器件电流的双栅调控，增强了器件的栅压调制能力和调制灵活性，具有更好的电子发射性能；器件真空沟道上方被顶栅绝缘层和顶栅极覆盖，有效降低了在电子传输过程中大气粒子对电子的碰撞散射作用，使得器件可以直接工作于大气环境中，并具有良好的电子传输性能；本发明制备所得的真空沟道尺寸在纳米级别且均匀性较好，有利于实现器件的大规模低成本制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双栅型真 空场 发射 三极管 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种双栅型真空场发射三极管结构，其特征在于，包括：衬底(100)，底栅极(110)，所述底栅极(110)沉积在衬底(100)上，底栅绝缘层(130)，所述底栅绝缘层(130)沉积在底栅极(110)上，源漏电极(150)，所述源漏电极(150)沉积在底栅绝缘层(130)上，所述源漏电极(150)包括对称设置的源电极和漏电极，源电极和漏电极之间设有电极间隙；导电薄膜(250)，所述导电薄膜(250)沉积在源漏电极(150)和电极间隙上，导电薄膜(250)在所述电极间隙处设置有真空沟道(260)；顶栅绝缘层(170)，所述顶栅绝缘层(170)沉积在导电薄膜(250)上；及顶栅极(120)，所述顶栅极(120)沉积在顶栅绝缘层(170)上。
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