[发明专利]一种SnO2-PEDOT-RGO三元超电容材料的合成方法在审
| 申请号： | 201910379207.7 | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN110060879A | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 陆嘉君 | 申请（专利权）人： | 太仓萃励新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01G11/30 | 分类号： | H01G11/30;H01G11/36;H01G11/46;H01G11/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215411 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SnO2‑PEDOT‑RGO三元超电容材料的合成方法，所有原料均为常见廉价化学品，采用绿色工艺一步合成，I‑离子还原氧化石墨得到RGO，Sn2+和EDOT单体附着在RGO上，经氧化得到SnO2‑PEDOT负载的石墨烯，同时生成的I2起到掺杂PEDOT的作用，电导率高，比电容高，循环性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 超电容 合成 电导率 绿色工艺 循环性能 氧化石墨 一步合成 比电容 化学品 石墨烯 附着 离子 还原 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种SnO2‑PEDOT‑RGO三元超电容材料的合成方法，其特征在于，包括以下步骤：将EDOT单体溶于去离子水中，加入氧化石墨超声搅拌形成溶胶，将KI和SnI2溶解在另一份去离子水中溶液中，缓慢加入第一份溶胶中，得到混合溶液A，持续搅拌反应6～12小时后，加入含有引发剂的水溶液，加入过程中持续搅拌，室温～40℃搅拌反应12～24小时后得到沉淀，经过滤洗涤烘干得到SnO2‑PEDOT‑RGO三元超电容材料粉末。
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