[发明专利]针对GAN RF晶体管中的改进性能的触点形状工程在审
| 申请号： | 201910371005.8 | 申请日： | 2019-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN110571272A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | M.拉多萨夫耶维奇;邓汉威;S.达斯古普塔;P.费舍尔;W.哈费茨 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/08 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 周学斌;申屠伟进 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 针对GAN RF晶体管中的改进性能的触点形状工程。本文中描述的实施例包括晶体管器件，该晶体管器件包括GaN沟道。在实施例中，晶体管器件进一步包括源极区域和漏极区域。源极区域可以通过GaN沟道与漏极区域分离。在实施例中，源极区域和漏极区域包括具有大于3 nm的均方根（RMS）表面粗糙度的表面。在实施例中，晶体管器件进一步包括在GaN沟道上面的栅极电极、与源极区域接触的源极触点以及与漏极区域接触的漏极触点。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管器件 漏极区域 源极区域 沟道 表面粗糙度 漏极触点 源极触点 栅极电极 均方根 触点 改进 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管器件，其包括：/nGaN沟道；/n源极区域和漏极区域，其中所述源极区域通过所述GaN沟道与所述漏极区域分离，并且其中所述源极区域和所述漏极区域包括具有大于3 nm的均方根（RMS）表面粗糙度的表面；/n在所述GaN沟道上面的栅极电极；/n与所述源极区域接触的源极触点；以及/n与所述漏极区域接触的漏极触点。/n
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