[发明专利]光学投影系统的矫正方法在审

专利信息
申请号: 201910370736.0 申请日: 2019-05-06
公开(公告)号: CN110109316A 公开(公告)日: 2019-08-09
发明(设计)人: 张祥平;相马春木;许刚;周娴 申请(专利权)人: 德淮半导体有限公司
主分类号: G03B21/14 分类号: G03B21/14;G03F7/20
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 薛异荣;吴敏
地址: 223302 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种光学投影系统的矫正方法,包括:采用光学投影系统对所述掩膜版分别进行第一次曝光至第N次曝光,获得第一曝光标记图形至第N曝光标记图形,曝光条件包括曝光能量和焦深;根据第一曝光标记图形的尺寸至第N曝光标记图形的尺寸、以及第一次曝光至第N次曝光的曝光条件,获取聚焦能量矩阵函数,聚焦能量矩阵函数为曝光标记图形的尺寸关于曝光能量和焦深的函数;在聚焦能量矩阵函数中获取曝光能量极值;获取在曝光能量极值条件下,曝光标记图形的尺寸随焦深变化的测试斜率;根据所述测试斜率对所述光学透镜系统进行调整。所述矫正方法与光学投影系统对晶圆曝光的工艺兼容,提高了矫正效率和产能。
搜索关键词: 曝光标记 光学投影系统 曝光能量 矫正 矩阵函数 聚焦能量 曝光 焦深 曝光条件 光学透镜系统 测试 工艺兼容 掩膜版 产能 晶圆
【主权项】:
1.一种光学投影系统的矫正方法,其特征在于,包括:提供光学投影系统,所述光学投影系统包括光学透镜系统和位于所述光学透镜系统上的掩膜版,所述掩膜版的图形包括掩膜标记图形;采用光学投影系统对所述掩膜版分别进行第一次曝光至第N次曝光,获得第一曝光标记图形至第N曝光标记图形,第i次曝光适于形成第i曝光标记图形,第一次曝光至第N次曝光的曝光条件各不相同,所述曝光条件包括曝光能量和焦深,N为大于等于2的整数,i为大于等于1且小于等于N的整数;根据第一曝光标记图形的尺寸至第N曝光标记图形的尺寸、以及第一次曝光至第N次曝光的曝光条件,获取聚焦能量矩阵函数,所述聚焦能量矩阵函数为曝光标记图形的尺寸关于曝光能量和焦深的函数;在所述聚焦能量矩阵函数中获取曝光能量极值;获取在曝光能量极值条件下,曝光标记图形的尺寸随焦深变化的测试斜率;根据所述测试斜率对所述光学透镜系统进行调整。
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