[发明专利]一种纳米Co3有效

专利信息
申请号: 201910366062.7 申请日: 2019-05-05
公开(公告)号: CN110055542B 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 王秀通;李鑫冉;南有博;于腾;蒋全通;杨黎晖;段继周;黄彦良;侯保荣 申请(专利权)人: 中国科学院海洋研究所
主分类号: C23F13/12 分类号: C23F13/12;C25D11/26;C23C18/12;C23C28/04;B82Y30/00
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 李颖
地址: 266071 *** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及纳米材料技术领域,具体的说是一种纳米Co3O4/TiO2半导体复合膜及其应用。Co3O4/TiO2半导体复合膜可作为用于抑制金属腐蚀的防腐蚀保护膜中的应用。所述通过低温水热法,将Co3O4纳米立方体颗粒负载于TiO2阵列管口,再经煅烧后形成稳定的Co3O4/TiO2复合膜;即将窄带隙p型半导体Co3O4纳米颗粒负载于n型TiO2纳米管管口,减弱电子‑空穴复合,获得纳米Co3O4/TiO2半导体复合膜。本发明的Co3O4/TiO2复合膜光阳极与304不锈钢耦连,可使不锈钢电位降至‑0.66V,且在暗态下也具有良好的阴极保护效果,具有制备方法简单,可见光利用率高、暗态下可提供持续保护的优点。
搜索关键词: 一种 纳米 co base sub
【主权项】:
1.一种纳米Co3O4/TiO2半导体复合膜,其特征在于:通过低温水热法,将Co3O4纳米立方体颗粒负载于TiO2阵列管口,再经煅烧后形成稳定的Co3O4/TiO2复合膜;即将窄带隙p型半导体Co3O4纳米颗粒负载于n型TiO2纳米管管口,减弱电子‑空穴复合,获得纳米Co3O4/TiO2半导体复合膜。
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