[发明专利]一种纳米Co3

权利要求书

1.一种纳米Co₃O₄/TiO₂半导体复合膜，其特征在于：通过低温水热法，将Co₃O₄纳米立方体颗粒负载于TiO₂阵列管口，再经煅烧后形成稳定的Co₃O₄/TiO₂复合膜；即将窄带隙p型半导体Co₃O₄纳米颗粒负载于n型TiO₂纳米管管口，减弱电子-空穴复合，获得纳米Co₃O₄/TiO₂半导体复合膜；

所述低温水热法的反应液为六水合硝酸钴与尿素的混合液，且六水合硝酸钴浓度为0.2～2 mmol/L，尿素与六水硝酸钴的摩尔比为4.5:1～5:1，水热反应温度为100～120℃，水热6～8 h；

所述低温水热处理后采用水和乙醇交替反复清洗、自然晾干后，置于马弗炉中350～400℃，煅烧1.5～2 h。

2.一种权利要求1所述的纳米Co₃O₄/TiO₂半导体复合膜的应用，其特征在于：所述复合膜可作为用于抑制金属腐蚀的防腐蚀保护膜中的应用。

3.按权利要求2所述的一种纳米Co₃O₄/TiO₂半导体复合膜的应用，其特征在于：所述复合膜作为光阳极，在暗态下作为用于抑制金属腐蚀的防腐蚀中的应用。