[发明专利]电子倍增电荷耦合器件倍增寄存器防杂散信号干扰结构

摘要

本发明涉及电子倍增电荷耦合器件，特别涉及一种电子倍增电荷耦合器件倍增寄存器的防杂散信号干扰结构，电子倍增电荷耦合器件为传统帧转移结构，包括光敏区、储存区、水平寄存器、倍增寄存器和输出放大器，其中光敏区与储存区连接，储存区上设置有水平寄存器，水平寄存器、倍增寄存器的一端连接，倍增寄存器的另一端与输出放大器连接；水平寄存器、倍增寄存器和输出放大器的周边外围设置有一层N型掺杂的杂散信号收集区；本发明可有效收集和处理掉场区的杂散电子和其它非理想因素耦合的噪声电子，有利于减小电荷耦合器件的读出噪声，尤其对电子倍增电荷耦合器件更为明显。

主权项

1.电子倍增电荷耦合器件倍增寄存器防杂散信号干扰结构，电子倍增电荷耦合器件为传统的帧转移结构，包括光敏区、储存区、水平寄存器、倍增寄存器和输出放大器，其中光敏区与储存区连接，储存区上设置有水平寄存器，水平寄存器与倍增寄存器的一端连接，倍增寄存器的另一端与输出放大器连接，其特征在于，所述水平寄存器、倍增寄存器和输出放大器表面设置有一层N型掺杂的杂散信号收集区。