[发明专利]膦氧基团修饰的二吡啶并吩嗪基红光/近红外热激发延迟荧光材料、合成方法及其应用有效
| 申请号： | 201910359637.2 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110283209B | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 韩春苗;赵炳捷;许辉 | 申请（专利权）人： | 黑龙江大学 |
| 主分类号： | C07F9/6561 | 分类号： | C07F9/6561;C09K11/06;H01L51/54 |
| 代理公司： | 哈尔滨市文洋专利代理事务所(普通合伙) 23210 | 代理人： | 何强 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
膦氧基团修饰的二吡啶并吩嗪基红光/近红外热激发延迟荧光材料、合成方法及其应用，它涉及一种热激发延迟荧光材料、合成方法及其应用。本发明为了解决现有红/近红外TADF材料由于分子极性大而导致的浓度猝灭及电致发光器件效率偏低且衰减快的问题。结构式如下： |
||
| 搜索关键词： | 基团 修饰 吡啶 吩嗪 红光 红外 激发 延迟 荧光 材料 合成 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.膦氧基团修饰的二吡啶并吩嗪基红光/近红外热激发延迟荧光材料，其特征在于所述膦氧基团修饰的二吡啶并吩嗪基红光/近红外热激发延迟荧光材料结构式如下：![]()
其中X为氢或![]()
Y为氢、![]()
Z为氢、![]()
W为氢或![]()
M为氢或![]()
V为氢或![]()
N为氢或![]()
U为氢或![]()
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于黑龙江大学，未经黑龙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910359637.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
