[发明专利]一种高填充因子的红外探测器结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201910359028.7 申请日: 2019-04-30
公开(公告)号: CN110120437B 公开(公告)日: 2021-04-30
发明(设计)人: 康晓旭 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司
主分类号: H01L31/101 分类号: H01L31/101;H01L31/02
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 吴世华;张磊
地址: 201210 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种高填充因子的红外探测器结构,包括设于衬底之上的微桥结构,微桥结构包括微桥桥面及支撑和电连接孔,微桥桥面自下而上依次设有第一释放保护层、红外敏感层、第一金属电极层和第二释放保护层,支撑和电连接孔的内壁表面上依次设有第二金属电极层、第三释放保护层,第二金属电极层自支撑和电连接孔的内壁顶部开口引出,并与第一金属电极层相连,第二金属电极层通过支撑和电连接孔的底部开口与衬底实现电性连接,第三释放保护层自支撑和电连接孔的内壁上端开口部引出,并与第二释放保护层相连。本发明能够在提高填充因子的同时,进一步提升产品性能。本发明还公开了一种高填充因子的红外探测器结构的制作方法。
搜索关键词: 一种 填充 因子 红外探测器 结构 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种高填充因子的红外探测器结构,其特征在于,包括:设于衬底之上的微桥结构,所述微桥结构包括微桥桥面及支撑和电连接孔,所述微桥桥面自下而上依次设有第一释放保护层、红外敏感层、第一金属电极层和第二释放保护层,所述支撑和电连接孔的内壁表面上依次设有第二金属电极层、第三释放保护层;其中,所述第二金属电极层自所述支撑和电连接孔的内壁顶部开口引出,并与所述第一金属电极层相连,所述第二金属电极层通过所述支撑和电连接孔的底部开口与所述衬底实现电性连接,所述第三释放保护层自所述支撑和电连接孔的内壁上端开口部引出,并与所述第二释放保护层相连。
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