[发明专利]一种可应用于低电压环境的欠压检测电路在审
| 申请号： | 201910354502.7 | 申请日： | 2019-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN109959817A | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 庄在龙 | 申请（专利权）人： | 南京芯耐特半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/165 | 分类号： | G01R19/165 |
| 代理公司： | 南京聚匠知识产权代理有限公司 32339 | 代理人： | 刘囝 |
| 地址： | 211800 江苏省南京市浦口区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种可应用于低电压环境的欠压检测电路，包括PMOS管PM1；NMOS管NM1和NM2；反相器I1和I2；电容CP和电源电压VDD，电容CP一端接电源电压VDD，另一端接入NM2的源端，其中NM2都为低阈值NMOS管。本发明可以在低电压环境中应用且在正常工作状态下无静态功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 低电压环境 欠压检测电路 电源电压 电容 应用 正常工作状态 静态功耗 反相器 源端 | ||
【主权项】：
1.一种可应用于低电压环境的欠压检测电路，其特征在于，包括：PM1，连接电源电压VDD，输出电压VP；NM2，输入电压VP；NM1、NM2，输出电压VQ；CP，一端接电源电压VDD、另一端分别与NM1、NM2串联；二级反相器，由I1和I2串联而成，输入电压VP信号，输出欠压控制信号；所述PM1分别与NM2、二级反相器串联；所述NM1、NM2和二级反相器依次串联；所述NM2采用低阈值NMOS器件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京芯耐特半导体有限公司，未经南京芯耐特半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910354502.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电流感测装置及方法
- 下一篇：电流测试方法、控制器和装置
