[发明专利]一种可应用于低电压环境的欠压检测电路

说明书

本发明提供了一种可应用于低电压环境的欠压检测电路，包括PMOS管PM1；NMOS管NM1和NM2；反相器I1和I2；电容CP和电源电压VDD，电容CP一端接电源电压VDD，另一端接入NM2的源端，其中NM2都为低阈值NMOS管。本发明可以在低电压环境中应用且在正常工作状态下无静态功耗。

技术领域

本发明属于集成电路设计领域，具体涉及一种可应用于低电压环境的欠压检测电路。

背景技术

如图1所示，常用的下电欠压检测电路结构中，使用三个串联电阻，产生分压电压，比较器正向输入端连接一个分压点，负向输入端连接参考基准电压，比较器的输出经过反相器整形，产生欠压检测信号，且为低电平时有效。同时，信号端连接NMOS管的栅极，NMOS管的漏级与分压电阻的第二个分压点连接。NMOS管的源端和第三个电阻的一端共同接地。当检测信号变为低电平后，NMOS管断开，经过第一个分压点升高，产生迟滞效应。

常用的下电检测电路结构的电阻和比较器，在正常工作中消耗直流功耗，提高电阻可以减小电阻分压部分的静态功耗，但也不可避免的增加电阻面积，在低功耗应用中不太合适。并且，在电源电压比较低的应用下，参考基准电压和比较器的工作状态很难保证，这使得这种结构在低电压应用下不太适用。

发明内容

为了解决现有技术中存在的问题，本发明提出了一种能于低电压环境中应用的零功耗欠压检测电路。本发明的技术方案如下：

一种可应用于低电压环境的欠压检测电路，包括：

PM1，连接电源电压VDD，输出电压VP；

NM2，输入电压VP；

NM1、NM2，输出电压VQ；

CP，一端接电源电压VDD、另一端分别与NM1、NM2串联；

二级反相器，由I1和I2串联而成，输入电压VP信号，输出欠压控制信号；

所述PM1分别与NM2、二级反相器串联；

所述NM1、NM2和二级反相器依次串联；

所述NM2采用低阈值NMOS器件。

具体的，所述PM1的栅极(G)接地，源极(S)与电源电压VDD连接，所述PM1的漏极(D)与NM2漏极连接，并且与反相器I1的输入端连接；所述NM1的源极(S)接地，栅极(G)与漏极(D)连接，并共同与NM2的源极(S)连接；所述NM2的栅极(G)接地，源极(S)与电容CP的一端连接，所述电容CP的另一端与电源电压VDD连接；所述反相器I1输出端与反相器I2输入端连接，所述反相器I2输出端输出欠压控制信号s_uvb。

进一步的，所述NM2的典型阈值电压为300～500mV。

基于上述技术方案，本发明所能实现的技术效果为：

1.本发明适用于低电压环境的欠压检测应用，电源电压VDD的电压翻转点取决于PM1和NM2的尺寸选择，可以由仿真决定，其翻转点近似在PMOS的阈值电压附近，适合低压应用。

2.本发明的可应用于低电压环境的欠压检测电路，当正常工作时，电源电压VDD为高电平，NM1的栅源电压仅比地电位略高，此时NM2的栅源电压为负电压，更加帮助截止，通路无静态功耗。

附图说明

图1为现有的常用下电欠压检测电路结构示意图；

图2为本发明的可应用于低电压环境的欠压检测电路的结构示意图。

具体实施方式

下面结合说明书附图对本发明的内容作进一步地说明,显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。