[发明专利]一种用于ESD防护的高鲁棒性ESD器件

摘要

本发明属于电子技术领域，具体涉及静电释放(ESD)保护器件的设计，具体提供一种用于ESD防护的高鲁棒性ESD器件结构，用以提高GGNMOS的鲁棒性。本发明现有GGNMOS结构基础上，在第二种导电类型阱区中采用N个第一种导电类型重掺杂区A1和N个第二种导电类型重掺杂区B1相邻且间隔设置的设计，将器件电流泄放路径由原本的寄生npn1路径和寄生npn2路径两种路径变为寄生npn1路径、寄生npn2路径和SCR路径三种路径；由于电流泄放路径的增加，使得本发明ESD器件相比于传统GGNMOS器件能够实现更高的鲁棒性；同时，本发明高鲁棒性ESD器件与常用的GGNMOS器件所需的版图面积完全一致，即本发明在相同版图面积的情况下，实现了更高的鲁棒性。

主权项

1.一种用于ESD防护的高鲁棒性ESD器件结构，其特征在于，所述器件结构包括：第一种导电类型硅衬底(110)，所述第一种导电类型硅衬底内设置的第一种导电类型重掺杂区A₁(111)；所述硅衬底上形成的第二种导电类型阱区(120)，所述第二种导电类型阱区内设置的N个第一种导电类型重掺杂区A₂(124、125)和N个第二种导电类型重掺杂区B₁(122、123)，所述两种导电类型的重掺杂区相邻且间隔分布；所述第二种导电类型阱区上形成的第一种导电类型阱区(130)，所述第一种导电类型阱区内设置的第一种导电类型重掺杂区A₃(131)、M/2+1个第二种导电类型重掺杂源区(132、134......)及M/2个第二种导电类型重掺杂漏区(133、135......)；所述M/2+1个第二种导电类型重掺杂源区与M/2个第二种导电类型重掺杂漏区间隔分布，且第二种导电类型重掺杂漏区与第二种导电类型重掺杂源区之间的硅表面上均设置薄氧化层区(140、141、142......)，每个薄氧化层区上均覆盖有第二种导电类型多晶硅区(150、151、152......)；所述第一种导电类型重掺杂区A₁、第一种导电类型的重掺杂区A₃、第二种导电类型多晶硅区、M/2+1个第二种导电类型重掺杂源区均相连，作为器件的阴极；所述N个第一种导电类型重掺杂区A₂、N个第二种导电类型重掺杂区B₁、M/2个第二种导电类型重掺杂漏区均相连，作为器件的阳极。