[发明专利]堆叠纳米片环栅晶体管及其制备方法

摘要

本发明提供了一种堆叠纳米片环栅晶体管及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：提供衬底，衬底的一侧具有支撑部，沿支撑部的延伸方向在支撑部上交替层叠设置有牺牲层与沟道层，支撑部、牺牲层与沟道层构成鳍结构；对支撑部的两侧表面进行掺杂形成第一掺杂区；形成跨鳍结构的假栅，在位于假栅两侧的鳍结构中形成源/漏区，源/漏区与第一掺杂区的掺杂类型相反；依次去除假栅以及位于源/漏区之间的牺牲层，以使沟道层中位于源/漏区之间的部分表面裸露，具有裸露表面的沟道层构成纳米片阵列，绕纳米片阵列中各纳米片的外周形成栅堆叠结构。上述制备得到的器件中栅堆叠结构不会受到栅堆叠结构的控制，有效避免了对器件开关特性的影响。

主权项

1.一种堆叠纳米片环栅晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，提供衬底(10)，所述衬底(10)的一侧具有支撑部(110)，沿所述支撑部(110)的延伸方向在所述支撑部(110)上交替层叠设置有牺牲层(20)与沟道层(30)，所述支撑部(110)、所述牺牲层(20)与所述沟道层(30)构成鳍结构；S2，对所述支撑部(110)的两侧表面进行掺杂形成第一掺杂区(111)；S3，形成跨所述鳍结构的假栅(80)，在位于所述假栅(80)两侧的所述鳍结构中形成源/漏区(100)，所述源/漏区(100)与所述第一掺杂区(111)的掺杂类型相反；S4，依次去除所述假栅(80)以及位于所述源/漏区(100)之间的所述牺牲层(20)，以使所述沟道层(30)中位于所述源/漏区(100)之间的部分表面裸露，具有裸露表面的所述沟道层(30)构成纳米片阵列，绕所述纳米片阵列中各纳米片(310)的外周形成栅堆叠结构。