[发明专利]闪存纠错方法及装置有效

专利信息
申请号: 201910351203.8 申请日: 2019-04-28
公开(公告)号: CN111863106B 公开(公告)日: 2022-08-05
发明(设计)人: 彭攀来;霍文捷;秦义 申请(专利权)人: 武汉海康存储技术有限公司
主分类号: G11C29/38 分类号: G11C29/38;G06F11/10
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 李珂珂
地址: 430074 湖北省武汉市东湖开*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 本申请公开了一种闪存纠错方法及装置,属于固态存储技术领域。本申请实施例提供的一种闪存纠错方法,接收读请求,读请求携带闪存存储器的第一位置的位置标识,用于读取第一位置上存储的数据,当接收到闪存存储器返回的错误指示时,将读请求的多个出错信息添加到多个第一纠错链表中,根据多个第一纠错链表中的出错信息,并行进行纠错。该方法通过将多个出错信息添加到多个第一纠错链表中,对多个第一纠错链表中的出错信息并行纠错,缩短了纠错的时间,提高了纠错效率。
搜索关键词: 闪存 纠错 方法 装置
【主权项】:
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