[发明专利]一种预清洗方法在审
| 申请号： | 201910349953.1 | 申请日： | 2019-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN111863591A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 师帅涛;王文章 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种的一种预清洗方法在使工艺气体起辉后，先减小工艺气体的流量和反应腔室的压力，再对被加工工件进行刻蚀，即先在步骤S3中减小工艺气体的流量和反应腔室的压力，再在步骤S4中改变上射频功率源和下射频功率源的输出功率，以对被加工工件进行刻蚀。从而可以避免在进行刻蚀步骤的同时减小工艺气体的流量和反应腔室的压力，所导致的等离子体状态不稳定，刻蚀不均匀的问题，从而提高预清洗的均匀性。同时，该预清洗方法先使用较大的第一流量和第一压力值，可以保证在反应腔室内的压力较高时，顺利起辉；再使用较小的第二流量值和第二压力值，可以保证在反应腔室内的压力较低时，均匀刻蚀，从而提高预清洗的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 清洗 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
