[发明专利]使用硅氢卤化物前体的SiN的等离子体增强原子层沉积(PEALD)

摘要

提供了用于形成氮化硅膜的方法。在一些实施例中，氮化硅可以通过原子层沉积(ALD)，例如等离子体增强ALD沉积。一个或多个氮化硅沉积循环包含顺序等离子体预处理阶段，其中衬底依次暴露于氢等离子体，然后在不存在氢等离子体的情况下暴露于氮等离子体，以及沉积阶段，其中衬底暴露于硅前体。在一些实施例中，使用硅氢卤化物前体沉积氮化硅。氮化硅膜可以具有高侧壁保形性，并且在一些实施例中，氮化硅膜可以在沟槽结构中的侧壁的底部比在侧壁的顶部更厚。在间隙填充过程中，氮化硅沉积工艺可以减少或消除空隙和接缝。

主权项

1.一种通过包含多个沉积循环的原子层沉积(ALD)工艺在反应空间中的衬底上的三维结构上沉积SiN薄膜的方法，所述沉积循环包含：顺序等离子体预处理阶段，其包含：使所述衬底与第一氢等离子体接触；和在使所述衬底与所述第一氢等离子体接触之后，在不存在氢等离子体的情况下使所述衬底与第二氮等离子体接触；和氮化硅沉积阶段，其包含使所述衬底与硅氢卤化物前体和氮反应物交替且依次地接触。