[发明专利]一种阻隔型真空镀膜管件的镀膜方法

摘要

本发明公开了一种阻隔型真空镀膜管件的镀膜方法。本发明采用真空镀膜(PECVD、PVD)方法在PET、PEN等塑料管件内壁和外壁进行低速SiO和高速SiO₂薄膜沉积，使得PET、PEN等塑料管件表面微观孔隙被填充，水蒸气分子、氧气分子和二氧化碳分子不易渗透到管内壁而影响样本的测试准确性；另外，本发明利用低速SiO和高速SiO₂结合的模式，提升阻隔膜的致密性同时延长了渗透距离，同时利用SiNx对外壁表面的SiO₂进行改性，亲水改为了疏水，避免了水渍、脏污的影响。

主权项

1.一种阻隔型真空镀膜管件的镀膜方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤(1)预处理：将塑料管件在90～95％的乙醇中浸泡并超声波清洗5～10分钟，之后使用氮气吹干并使用静电枪进行表面除静电，然后立即放入真空镀膜室内；步骤(2)管内壁镀膜：真空镀膜室内具有顶针状Pin结构用于支撑塑料管件内壁，镀膜室内置多个气体入口，保证每个气体入口对应一个塑料管件，镀膜室抽真空至2Pa以下，通入40～60sccm的氧气或者氩气5～8分钟，利用氧或氩等离子体对管件内外壁进行表面轰击，轰击完毕之后，通入硅烷和氧气气体，在室温20～25℃、50～100W的放电功率条件下，利用CCP放电气体输入法和电感耦合ICP放电法结合，在管件内产生高密度等离子体，并利用线圈产生磁场增强放电强度，依次沉积低速SiO薄膜和高速SiO₂薄膜；步骤(3)管外壁镀膜：利用PVD磁控溅射技术依次镀低速SiO、高速SiO₂及SiNx三层薄膜。