[发明专利]一种阻隔型真空镀膜管件的镀膜方法

权利要求书

1.一种阻隔型真空镀膜管件的镀膜方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

步骤(1)预处理：将塑料管件在90～95％的乙醇中浸泡并超声波清洗5～10分钟，之后使用氮气吹干并使用静电枪进行表面除静电，然后立即放入真空镀膜室内；

步骤(2)管内壁镀膜：真空镀膜室内具有顶针状Pin结构用于支撑塑料管件内壁，镀膜室内置多个气体入口，保证每个气体入口对应一个塑料管件，镀膜室抽真空至2Pa以下，通入40～60sccm的氧气或者氩气5～8分钟，利用氧或氩等离子体对管件内外壁进行表面轰击，轰击完毕之后，通入硅烷和氧气气体，在室温20～25℃、50～100W的放电功率条件下，利用CCP放电气体输入法和电感耦合ICP放电法结合，在管件内产生高密度等离子体，并利用线圈产生磁场增强放电强度，依次沉积低速SiO薄膜和高速SiO₂薄膜；

步骤(3)管外壁镀膜：利用PVD磁控溅射技术依次镀低速SiO、高速SiO₂及SiNx三层薄膜。

2.如权利要求1所述的镀膜方法，其特征在于，管内壁沉积SiO薄膜时：放电功率为50W，气压保持在5～15.7Pa，纯度为99.999％硅烷和纯度为99.999％氧气比例为1:5～1:4，气体总流量为60～350sccm，磁感应线圈电流为30～70mA，磁感应强度为0.03～0.09T，沉积时间为15～30秒，沉积厚度为5～10nm。

3.如权利要求1所述的镀膜方法，其特征在于，管内壁沉积SiO₂薄膜时：放电功率为100W，气压保持在10～19.7Pa，纯度为99.999％硅烷和纯度为99.999％氧气比例为1:4～1:3，气体总流量为250～560sccm，磁感应线圈电流为30～70mA，磁感应强度为0.03～0.09T，沉积时间为30～105秒，沉积厚度为20～70nm。

4.如权利要求1所述的镀膜方法，其特征在于，所述塑料管件为PET、PEN、PP或COP塑料管/瓶，塑料管件长度为30～1500mm、管外径为30～1000mm、管壁厚度为1～10mm。

5.如权利要求1所述的镀膜方法，其特征在于，所述管内壁和管外壁成膜总体厚度控制在30～105nm。

6.如权利要求1所述的镀膜方法，其特征在于，管外壁镀膜具体过程如下：在功率为50W和100W的条件下，通入150～250sccm的纯度为99.999％的Ar和800～1200sccm的O₂，气压保持在0.1～1.0Pa，通过磁场控制Ar离子轰击Si靶材，分别沉积120～600秒得到厚度1～5nm的低速SiO、沉积60～300秒得到厚度5～10nm的高速SiO₂，之后通过切换气源，将O₂替换为纯度99.999％的N₂，功率调整为250W，沉积时间控制在60～120秒，通过磁场控制Ar离子轰击Si靶材继续沉积厚度为5～10nm的SiNx膜。

7.如权利要求1所述的镀膜方法，其特征在于，所述塑料管件的内部放置CCP等离子体源使得管材内部形成等离子体，在管件外壁设置ICP线圈产生磁场来增强管材内部放电强度。