[发明专利]一种匹配激光选择性掺杂的离子注入磷扩散方法

摘要

本发明涉及一种新型离子注入工艺，特别涉及一种匹配激光选择性掺杂的离子注入磷扩散方法。该方法包括以下步骤：①在制绒后的P型硅片表面第一次离子注入磷，选择注入低剂量的磷，注入同时选择高加速电压；②退火激活+推结，使形成的磷扩散结表面掺杂浓度低，有效磷掺杂浓度分布随深度变化较为平缓，形成方阻为140‑180ohm/sq的轻扩区；③第二次磷离子注入：本次注入剂量高磷的磷，目的是在硅片近表面形成高浓度的磷扩散层；④激光掺杂：激光选择性激活第二次离子注入的磷；⑤清洗。本发明通过降低电池磷扩散结内复合，提升磷扩散方阻均匀性和减少电池串联电阻损失，进一步提升PERC电池效率。

主权项

1.一种匹配激光选择性掺杂的离子注入磷扩散方法，其特征在于该方法包括以下步骤：①在制绒后的P型硅片表面第一次离子注入磷，选择注入低剂量的磷，注入同时选择高加速电压，磷的注入量是8×10¹⁴至10×10¹⁴ cm^‑2，加速电压为10‑14kV；②退火激活+推结，使形成的磷扩散结表面掺杂浓度低，有效磷掺杂浓度分布随深度变化较为平缓，形成方阻为140‑180ohm/sq的轻扩区；③第二次磷离子注入：本次注入剂量高磷的磷，磷的注入量是4×10¹⁵至6×10¹⁵ cm^‑2，加速电压为4‑6KV，目的是在硅片近表面形成高浓度的磷扩散层；④激光掺杂：激光选择性激活第二次离子注入的磷，形成后续金属化栅线接触区域的重扩区，重扩区方阻为20‑40ohm/sq；⑤清洗：清洗掉轻扩区未被激光激活的第二次离子注入的含磷层，最终形成完整的选择性磷扩散发射极。