[发明专利]一种磷化铟基光学混频器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910315599.0 | 申请日： | 2019-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN110297289B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 陆子晴;韩勤;叶焓;王帅;肖峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/126;G02B6/14;G02B6/136;G02B6/138 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磷化铟基光学混频器及其制备方法，该混频器包括一外延片器件层，形成于一磷化铟衬底之上，用于实现混频；一二氧化硅上包层，形成于所述外延片器件层之上，用于保护外延片器件层，并提高外延片器件层稳定性；以及一金属薄膜，形成于所述二氧化硅上包层之上，用于控制偏振。其中外延片器件层包括由直波导依次连接的模斑转换器、1×2MMI、第一偏振转换器、第二偏振转换器、2×2MMI、第三偏振转换器、波导型偏振器以及4×4MMI。本发明提出的磷化铟基光学混频器具有微型化、低偏振色散、高带宽、高响应度、制备工艺与CMOS工艺兼容、以及易于制备和集成的综合性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磷化 光学 混频器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磷化铟基光学混频器，包括：一外延片器件层，形成于一磷化铟衬底之上，用于实现混频；一二氧化硅上包层，形成于所述外延片器件层之上，用于保护外延片器件层，并提高外延片器件层稳定性；以及一金属薄膜，形成于所述二氧化硅上包层之上，用于控制偏振。
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