[发明专利]一种调控钙钛矿层晶体生长的方法及其在太阳能电池中的应用在审
| 申请号： | 201910309877.1 | 申请日： | 2019-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN110112301A | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 张永文;谭婉怡;闵永刚 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/42 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 510006 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种调控钙钛矿层晶体生长的方法，在阳极界面层表面制备修饰层，然后在修饰层表面制备钙钛矿层；所述修饰层为2,2'‑联吡啶、4,4'‑联吡啶、1,10‑菲罗啉、乙二胺四乙酸中的一种或多种。本发明易与引入添加剂、混合溶剂体系、使用反溶剂等方法结合，能够更为有效的获得均一性、高覆盖率的薄膜以及大的晶体尺寸，有助于进一步提高倒置钙钛矿太阳能电池效率，对于推进钙钛矿太阳能电池的商业化进程具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿层 修饰层 太阳能电池 表面制备 晶体生长 钙钛矿 联吡啶 太阳能电池效率 混合溶剂体系 乙二胺四乙酸 高覆盖率 阳极界面 重要意义 倒置 反溶剂 菲罗啉 均一性 调控 薄膜 添加剂 引入 应用 进程 | ||
【主权项】：
1.一种调控钙钛矿层晶体生长的方法，其特征在于，在阳极界面层表面制备修饰层，然后在修饰层表面制备钙钛矿层；所述修饰层为2,2'‑联吡啶、4,4'‑联吡啶、1,10‑菲罗啉、乙二胺四乙酸中的一种或多种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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