[发明专利]一种调控钙钛矿层晶体生长的方法及其在太阳能电池中的应用在审
申请号: | 201910309877.1 | 申请日: | 2019-04-17 |
公开(公告)号: | CN110112301A | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 张永文;谭婉怡;闵永刚 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/42 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 林丽明 |
地址: | 510006 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钙钛矿层 修饰层 太阳能电池 表面制备 晶体生长 钙钛矿 联吡啶 太阳能电池效率 混合溶剂体系 乙二胺四乙酸 高覆盖率 阳极界面 重要意义 倒置 反溶剂 菲罗啉 均一性 调控 薄膜 添加剂 引入 应用 进程 | ||
1.一种调控钙钛矿层晶体生长的方法,其特征在于,在阳极界面层表面制备修饰层,然后在修饰层表面制备钙钛矿层;所述修饰层为2,2'-联吡啶、4,4'-联吡啶、1,10-菲罗啉、乙二胺四乙酸中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在保护性气氛下,将修饰层溶液旋涂在阳极界面层上,制得修饰层;再在修饰层上旋涂钙钛矿溶液,制得钙钛矿层。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述钙钛矿层的钙钛矿结构为ABX3,其特征在于,A为Pb、Sn中的任一种或两种,B为MA、FA、Cs中的任一种或两种,X为ClpBrqI3-p-q,p、q的取值范围为0~3。
4.根据权利要1或2所述的方法,其特征在于,所述阳极界面层为NiOx层。
5.权利要求1~4任一所述方法在制备钙钛矿太阳能电池器件中的应用。
6.一种钙钛矿太阳能电池器件,其特征在于,包括依次层叠设置的导电玻璃电极、阳极界面层、修饰层、钙钛矿层、电子传输层与金属电极;所述修饰层为2,2'-联吡啶、4,4'-联吡啶、1,10-菲罗啉、乙二胺四乙酸中的一种或多种。
7.根据权利要求6所述的钙钛矿太阳能电池器件,其特征在于,在电子传输层和金属电极层之间还包含金属电极修饰层,所述金属电极修饰层为ZrAcac。
8.根据权利要求6所述的钙钛矿太阳能电池器件,其特征在于,所述导电玻璃电极为ITO、FTO或AZO。
9.根据权利要求6所述的钙钛矿太阳能电池器件,其特征在于,所述电子传输层为PCBM。
10.权利要求7所述的钙钛矿太阳能电池器件的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S1.在透明导电衬底的基片上制备阳极界面层;S2.在阳极界面层上制备修饰层;S3.在修饰层上制备钙钛矿层;S4.在钙钛矿层上制备电子传输层S5.在电子传输层上制备金属电极修饰层;S6.在电极修饰层上蒸镀金属电极做为背电极,得到具有界面修饰层的钙钛矿太阳能电池器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择