[发明专利]一种测量中子能谱的反演算法有效
申请号: | 201910303760.2 | 申请日: | 2019-04-16 |
公开(公告)号: | CN110007335B | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 樊瑞睿;蒋伟;易晗 | 申请(专利权)人: | 东莞中子科学中心;中国科学院高能物理研究所 |
主分类号: | G01T3/00 | 分类号: | G01T3/00 |
代理公司: | 广东腾锐律师事务所 44473 | 代理人: | 张雪华 |
地址: | 523000 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区总部*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及辐射探测技术领域,尤指一种基于静态随机存取存储器芯片(以下称为SRAM)的中子能谱探测器及测量中子能谱的反演算法;反演算法是通过统计若干不同种类且SEU截面函数已知的SRAM翻转次数,反推出未知中子能谱;实验测量中子能谱时,通过积累一定数量的统计,得到一组芯片随中子能量变化的翻转概率曲线,每块芯片的翻转概率分布代入能谱反演程序,得到中子能谱,能谱反演程序基于C++语言和开源代码库ROOT数据分析程序包进行开发。通过测试验证,本发明的测试方法可以确保结果的准确性和有效性。 | ||
搜索关键词: | 一种 测量 中子 反演 算法 | ||
【主权项】:
1.一种测量中子能谱的反演算法,其特征在于:所述的反演算法内容如下:(1)确定单个SRAM芯片的翻转概率确认一个SRAM芯片的单粒子翻转截面曲线,用Weibull函数来拟合,函数定义为:
其中,
为芯片饱和翻转截面,
为中子能量,
为芯片翻转阈值常在MeV量级,
和
是拟合参数;设一个中子源通量随能量分布函数为
,则一个芯片在这个中子源上的翻转概率
为:
由于
常使用划分的区间来表示,所以在离散条件下上面的公式可以重新表示为:
(2)确定一组SRAM芯片的翻转概率假设测试中共采用的一组芯片数量为
,每块芯片的翻转概率为
,根据离散条件下芯片翻转概率的表达式,
可以表达为:
该公式中
表示中子能谱第
道对应的能量;从该公式可以看出,芯片的翻转概率是所有能量值的线性组合;采用矩阵的方式,将一组中所有芯片的翻转概率表示为:
其中
和
为列向量,
被称为芯片的能谱相应矩阵;(3)求解原始能谱通过所有芯片的翻转概率分布和响应矩阵情况,采用贝叶斯方法进行求解原始能谱,根据贝叶斯条件概率理论进行推导,可以得到能谱分布的后验概率迭代评估值为:
其中
为芯片总数,
为能谱的总道数,
为第
次迭代得到的能谱分布。
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