[发明专利]一种基于飞秒激光增强自掺杂的二氧化钛光电极制备方法有效
申请号: | 201910301942.6 | 申请日: | 2019-04-16 |
公开(公告)号: | CN109913927B | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
发明(设计)人: | 姜澜;李欣;梁密生;陈孝喆;许晨阳 | 申请(专利权)人: | 北京理工大学 |
主分类号: | C25D11/26 | 分类号: | C25D11/26;B23K26/064;B23K26/082;B23K26/70;B82Y20/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京正阳理工知识产权代理事务所(普通合伙) 11639 | 代理人: | 毛燕 |
地址: | 100081 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提出了一种基于飞秒激光增强自掺杂的二氧化钛光电极制备方法,属于光催化电极材料制备领域。首先利用飞秒激光加工系统,采取飞秒激光直写方式,在金属钛表面直接加工微米阵列。然后将经过飞秒激光加工的微米阵列结构,放到电化学工作站中进行阳极氧化,得到二氧化钛的微纳复合结构。最后对二氧化钛微纳复合结构进行退火处理,使其产生结晶。对比现有技术,本发明方法制备过程无需真空装置,无需氢化还原,价格相对低廉,制造的光电极具有丰富的氧空位和微纳复合结构,并显著降低了光电极的禁带,极大提高了的光吸收、光电转化率等。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 激光 增强 掺杂 氧化 电极 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于飞秒激光增强自掺杂的二氧化钛光电极制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一:利用飞秒激光加工系统,采取飞秒激光直写方式,在金属钛表面直接加工微米阵列;步骤二:将经过飞秒激光加工的微米阵列结构,放到电化学工作站中进行阳极氧化,得到二氧化钛的微纳复合结构;步骤三:对二氧化钛微纳复合结构进行退火处理,使其产生结晶。
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