[发明专利]半导体激光器非吸收窗口及其制备方法和半导体激光器有效
| 申请号： | 201910297034.4 | 申请日： | 2019-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN110061416B | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 王俊;赵智德;程洋 | 申请（专利权）人： | 苏州长光华芯光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022;H01S5/34 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 罗啸 |
| 地址： | 215163 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体激光器非吸收窗口及其制备方法和半导体激光器，该制备方法包括：在半导体激光器外延片原位刻蚀得到的待扩散区域生长扩散源；将扩散源扩散至待扩散区域，得到扩散区；在扩散区表面上生长宽禁带层，宽禁带层和扩散区形成非吸收窗口。本发明实施例提供的半导体激光器非吸收窗口制备方法，首先采用扩散的方式，使得杂质离子扩散到半导体激光器外延片中，接着在扩散区上生长宽禁带材料，形成宽禁带层，宽禁带层和非吸收窗口构成非吸收窗口区。现有技术中扩散形成所需厚度的非吸收窗口时，需要在800摄氏度以上的高温下、扩散10个小时以上。本发明在同一设备中进行扩散和生长宽禁带材料，减小了扩散时所需要的扩散深度和扩散时间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 吸收 窗口 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器非吸收窗口的制备方法，其特征在于，包括：在半导体激光器外延片的原位刻蚀得到的待扩散区域生长扩散源；将所述扩散源扩散至所述待扩散区域，得到扩散区；在扩散区表面上生长宽禁带层，所述宽禁带层和所述扩散区形成非吸收窗口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州长光华芯光电技术有限公司，未经苏州长光华芯光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910297034.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：透镜耦合定位装置及其耦合定位方法
- 下一篇：激光器和发光设备
