[发明专利]一种磁性随机存储器磁性存储单元及其形成方法在审
| 申请号： | 201910291196.7 | 申请日： | 2019-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN111816762A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201815 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁性随机存取器磁性存储单元及其形成方法，其包括依次沉积的底电极、磁性隧道结和顶电极，在磁性隧道结内部按照非晶态缓冲层、晶态种子层、合成反铁层、合成反铁层‑参考层铁磁耦合层、参考层、势垒层、自由层和覆盖层的多层结构依次向上叠加。形成步骤包括：步骤1：提供表面抛光的带CMOS通孔的基底；步骤2：沉积底电极；步骤3：沉积磁性隧道结多层膜和顶电极；步骤4：选择350～450℃对沉积之后的磁性隧道结结构单元退火，以使得参考层和自由层在NaCl结构势垒层的模板作用下从非晶结构转变成BCC(001)的晶体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 随机 存储器 存储 单元 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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