[发明专利]Micro LED器件及显示面板在审
| 申请号： | 201910282907.4 | 申请日： | 2019-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN110047984A | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 柳铭岗 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L27/15 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种Micro LED器件及显示面板。该Micro LED器件包括：N型层，所述N型层设置在沉积有缓冲层的衬底表面，所述N型层表面覆盖有有源层；P型层，所述P型层表面设置有透明导电层，所述P型层覆盖所述有源层；所述透明导电层的每条边与所述P型层对应的边界之间设置有预设距离，以增大所述Micro LED器件中的电流密度。本发明的Micro LED器件及显示面板将电流集中在器件的中心区域，增大了电流密度，并能够减少Micro LED器件在边缘区域的漏电流、非辐射复合现象，从而提高了Micro LED器件及显示面板的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 显示面板 透明导电层 源层 非辐射复合 边缘区域 表面覆盖 表面设置 衬底表面 电流集中 发光效率 预设距离 中心区域 缓冲层 漏电流 条边 沉积 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种Micro LED器件，其特征在于，包括：N型层，所述N型层设置在沉积有缓冲层的衬底表面，所述N型层表面覆盖有有源层；P型层，所述P型层表面设置有透明导电层，所述P型层覆盖所述有源层；所述透明导电层的每条边与所述P型层对应的边界之间设置有预设距离，以增大所述Micro LED器件中的电流密度。
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