[发明专利]铝衬垫的制作方法及半导体器件在审
| 申请号： | 201910279285.X | 申请日： | 2019-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN109979835A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 王亮;李志伟;冉春明;黄仁德 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 上海领洋专利代理事务所(普通合伙) 31292 | 代理人： | 吴靖靓 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明技术方案公开了一种铝衬垫的制作方法及半导体器件，所述铝衬垫的制作方法包括：在半导体基底上形成铝膜层；在所述铝膜层表面形成氧化铝膜；在所述氧化铝膜上形成介质层；采用含氟气体干法刻蚀所述介质层，直至暴露出所述氧化铝膜；湿法清洗暴露出的所述氧化铝膜。本发明技术方案的氧化铝膜能够有效地防止氟离子与铝膜层接触，避免氟离子与水蒸气反应生成的氢氟酸腐蚀铝膜层，为后续的键接连线提供了有利的条件，大幅度降低了打线失败的可能性，同时也降低了晶圆的报废率。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化铝膜 铝膜层 铝衬垫 半导体器件 氟离子 介质层 制作 表面形成氧化铝 水蒸气 半导体基底 氢氟酸腐蚀 干法刻蚀 含氟气体 湿法清洗 报废率 有效地 暴露 打线 晶圆 失败 | ||
【主权项】：
1.一种铝衬垫的制作方法，其特征在于，包括：在半导体基底上形成铝膜层；在所述铝膜层表面形成氧化铝膜；在所述氧化铝膜上形成介质层；采用含氟气体干法刻蚀所述介质层，直至暴露出所述氧化铝膜；湿法清洗暴露出的所述氧化铝膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
