[发明专利]垂直半导体装置在审
| 申请号： | 201910278428.5 | 申请日： | 2019-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN110634881A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 李炅奂;姜昌锡;金容锡;林濬熙;金森宏治 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 尹淑梅;薛义丹 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种垂直半导体装置，所述垂直半导体装置包括导电图案结构、存储器层、柱结构以及第二绝缘图案和第三绝缘图案。导电图案结构包括导电图案和绝缘层，并且可包括在第一方向上延伸的第一部分和从第一部分的侧壁突出的第二部分。导电图案结构布置在与第一方向垂直的第二方向上以在其间形成沟槽。存储器层形成在导电图案结构的侧壁上。沟槽中的均包括形成在存储器层上的沟道图案和第一绝缘图案的柱结构在第一方向上彼此分隔开。第二绝缘图案形成在柱结构之间。第三绝缘图案形成在一些柱结构之间并且具有与第二绝缘图案的形状不同的形状。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘图案 导电图案 柱结构 存储器层 垂直半导体装置 侧壁 绝缘层 方向垂直 沟道图案 结构布置 分隔 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种垂直半导体装置，所述垂直半导体装置包括：/n导电图案结构，包括交替且重复地堆叠在基底上的导电图案和绝缘层，导电图案结构包括在第一方向上延伸的第一部分和从第一部分的侧壁突出的第二部分，其中，导电图案结构设置为多个，所述多个导电图案结构布置在与第一方向垂直的第二方向上以在其间形成沟槽；/n存储器层，形成在所述多个导电图案结构的侧壁上，存储器层包括阻挡介电层、电荷存储层和隧道绝缘层；/n柱结构，形成在存储器层上，柱结构包括沟道图案和第一绝缘图案，其中，柱结构设置为多个并且沟槽中的所述多个柱结构在第一方向上彼此分隔开；/n第二绝缘图案，形成在所述多个柱结构之间；以及/n第三绝缘图案，形成在所述多个柱结构中的一些之间，第三绝缘图案具有与第二绝缘图案的形状不同的形状。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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