[发明专利]具有改进的可靠性和效率的功率器件结构在审
| 申请号： | 201910272960.6 | 申请日： | 2019-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN110349914A | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 申旦 | 申请（专利权）人： | 辛纳普蒂克斯公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李湘;闫小龙 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据一个或多个实施例的系统和方法被提供用于转换放大器中使用的高侧功率级输出驱动器的改进的可靠性和效率。在一个示例中，系统包括功率器件结构，所述功率器件结构包括形成在半导体p衬底内的n阱结构和形成在n阱结构内的p阱结构。系统还包括形成在p阱结构上的一个或多个NMOS电子功率器件和形成在p阱结构上的p阱保护环，所述p阱保护环配置成围绕一个或多个NMOS电子功率器件。系统还包括形成在n阱结构上的n阱保护环，所述n阱保护环配置成围绕p阱结构；以及形成在n阱结构上的p+保护环，所述p+保护配置成围绕n阱保护环。 | ||
| 搜索关键词： | 功率器件结构 电子功率器件 输出驱动器 转换放大器 保护配置 功率级 衬底 高侧 配置 半导体 改进 | ||
【主权项】：
1.一种系统，包括：功率MOS结构，其包括：n阱结构，其形成在半导体衬底内；一个或多个PMOS电子功率器件，其形成在所述n阱结构上；n阱保护环，其形成在围绕所述一个或多个PMOS电子功率器件的所述n阱结构上；以及p+保护环，其形成在所述n阱结构上并且围绕所述n阱保护环。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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