[发明专利]顶发光型氧化铟镓锌薄膜晶体管器件制造方法有效
申请号: | 201910268854.0 | 申请日: | 2019-04-04 |
公开(公告)号: | CN110211925B | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
发明(设计)人: | 罗延欢 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开一种顶发光型氧化铟镓锌薄膜晶体管器件制造方法,包括第一光刻步骤、第二光刻步骤、栅极绝缘层形成步骤、第三光刻步骤、源极过孔形成步骤、氧化铟镓锌有源层裸露步骤、源极/漏极形成步骤、平坦化层形成步骤、第四光刻步骤、第五光刻步骤、以及第六光刻步骤。本发明采用聚酰亚胺电极障壁隔离柱制备栅极与源极/漏极,通过电极障壁隔离柱直接可形成源极/漏极与栅极,使得三道光罩减少为一道,同时聚酰亚胺作为栅极绝缘层可增大沟道电流密度,藉此简化制造方法复杂度,且提升生产效率。 | ||
搜索关键词: | 发光 氧化 铟镓锌 薄膜晶体管 器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种顶发光型氧化铟镓锌薄膜晶体管器件制造方法,其特征在于:所述制造方法包括:第一光刻步骤,包括沉积第一金属层到玻璃基板上,且图形化所述第一金属层以在所述第一金属层上形成遮光层和源极层;第二光刻步骤,包括沉积缓冲层和氧化铟镓锌有源层到所述玻璃基板上,剥离形成氧化铟镓锌有源层;栅极绝缘层形成步骤,包括在沉积栅极绝缘层到所述氧化铟镓锌有源层上,其中所述栅极绝缘层完全覆盖所述氧化铟镓锌有源层以隔离所述氧化铟镓锌有源层;第三光刻步骤,包括沉积光刻胶到所述栅极绝缘层上,且通过半色调光罩在所述光刻胶上形成多个电极障壁隔离柱,其中所述电极障壁隔离柱是以聚酰亚胺制造;源极过孔形成步骤,包括去除所述栅极绝缘层的裸露部分、所述氧化铟镓锌有源层的一部份和所述缓冲层的一部份,以形成源极过孔;氧化铟镓锌有源层裸露步骤,包括去除所述光刻胶的一部份以及所述栅极绝缘层的一部分,使得所述漏极处的所述氧化铟镓锌有源层的一部分裸露,最后导体化所述氧化铟镓锌有源层的所述裸露部分,其中所述所述裸露部分上方形成一漏极设置孔;源极/漏极形成步骤,包括沉积第二金属层到所述多个电极障壁隔离柱上、所述源极过孔内以及所述漏极设置孔内,且在所述第二金属层上形成位于所述源极过孔的源极部、位于所述漏极设置孔内的漏极部、以及位于所述多个电极障壁隔离柱上的栅极层;以及平坦化层形成步骤,包括沉积钝化层到所述第二金属层上,且沉积平坦化层到所述钝化层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造