[发明专利]一种非易失性存储器的编程方法有效
| 申请号： | 201910266095.4 | 申请日： | 2019-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN110010182B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 徐顺强;许浩;许铁元 | 申请（专利权）人： | 湖南大佳数据科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/30 |
| 代理公司： | 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 | 代理人： | 邱轶 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市高新开发区*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种非易失性存储器的编程方法。该编程方法包括步骤：(S1)给定编程数据，设置余量电流值和最大编程次数；(S2)编程验证：检验存储器所有单元中的数据是否与给定编程数据一致，且存储器单元电流是否满足余量电流要求；(S3)若满足步骤(S2)中的要求，则编程验证通过并结束验证过程，否则转入步骤(S4)；(S4)判断是否达到最大编程次数，若达到，则编程验证未通过，并结束验证过程；否则，按照给定编程数据对存储器进行编程，转入执行步骤(S2)。本发明能够保证编程窗口大于一定的余量，且余量可以随着编程验证电压的变化而变化；适用于不同工作电压要求，在低电压下可以降低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非易失性存储器 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器的编程方法，其特征在于包括以下步骤：(S1)给定编程数据，设置余量电流值和最大编程次数；(S2)编程验证：检验存储器所有单元中的数据是否与给定编程数据一致，且存储器单元电流是否满足余量电流要求；(S3)若满足步骤(S2)中的要求，则编程验证通过并结束验证过程，否则转入步骤(S4)；(S4)判断是否达到最大编程次数，若达到，则编程验证未通过，并结束验证过程；否则，按照给定编程数据对存储器进行编程，转入执行步骤(S2)。
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