[发明专利]一种VAlTiCrSi高熵合金薄膜及其在海水环境下的应用有效
| 申请号： | 201910260434.8 | 申请日： | 2019-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN109913771B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 蒲吉斌;郑淑璟;王立平;蔡召兵;鲁侠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | C22C45/00 | 分类号： | C22C45/00;C23C14/16;C23C14/35 |
| 代理公司： | 宁波元为知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33291 | 代理人： | 单英 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种VAlTiCrSi高熵合金薄膜。该薄膜中含有14～15％的V、12～13％的Al、12～13％的Ti、29～30％的Cr、30～31％的Si，是利用磁控溅射技术在基体表面沉积而获得，呈非晶结构。该薄膜具有高硬度与优异的耐腐蚀性能，可用于海水等环境下的基体防护。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 valticrsi 合金 薄膜 及其 海水 环境 应用 | ||
【主权项】：
1.一种VAlTiCrSi高熵合金薄膜，其特征是：由五种元素组成，各元素及其原子百分含量如下：V：14～15％Al：12～13％Ti：12～13％Cr：29～30％Si：30～31％并且，所述VAlTiCrSi高熵合金薄膜是利用磁控溅射技术在基体表面沉积而获得，呈非晶结构。
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