[发明专利]一种VAlTiCrSi高熵合金薄膜及其在海水环境下的应用有效
| 申请号： | 201910260434.8 | 申请日： | 2019-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN109913771B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 蒲吉斌;郑淑璟;王立平;蔡召兵;鲁侠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | C22C45/00 | 分类号： | C22C45/00;C23C14/16;C23C14/35 |
| 代理公司： | 宁波元为知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33291 | 代理人： | 单英 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 valticrsi 合金 薄膜 及其 海水 环境 应用 | ||
1.一种VAlTiCrSi高熵合金薄膜，其特征是：由五种元素组成，各元素及其原子百分含量如下：
V：14～15％
Al：12～13％
Ti：12～13％
Cr：29～30％
Si：30～31％
并且，所述VAlTiCrSi高熵合金薄膜是利用磁控溅射技术在基体表面沉积而获得，呈非晶结构，硬度高于10GPa。
2.如权利要求1所述的VAlTiCrSi高熵合金薄膜，其特征是：自腐蚀电流密度低于304不锈钢一个数量级。
3.如权利要求1或2所述的VAlTiCrSi高熵合金薄膜，其特征是：磁控溅射复合靶，在清洗后的基体表面沉积得到所述VAlTiCrSi高熵合金薄膜；
所述复合靶是由V靶材、Al靶材、Ti靶材、Cr靶材、Si靶材构成，在垂直方向将该五种靶材层叠排列形成一个靶周期，所述复合靶在垂直方向包括至少一个所述靶周期。
4.如权利要求3所述的VAlTiCrSi高熵合金薄膜，其特征是：所述靶周期中，自上至下依次为V靶、Al靶、Ti靶、Cr靶、Si靶。
5.如权利要求3所述的VAlTiCrSi高熵合金薄膜，其特征是：所述复合靶包含1～15个所述靶周期。
6.如权利要求3所述的VAlTiCrSi高熵合金薄膜，其特征是：一个靶周期中，V靶厚度为5mm～50mm。
7.如权利要求3所述的VAlTiCrSi高熵合金薄膜，其特征是：一个靶周期中，Al靶厚度为5mm～50mm。
8.如权利要求3所述的VAlTiCrSi高熵合金薄膜，其特征是：一个靶周期中，Ti靶厚度为5mm～50mm。
9.如权利要求3所述的VAlTiCrSi高熵合金薄膜，其特征是：一个靶周期中，Cr靶厚度为5mm～50mm。
10.如权利要求3所述的VAlTiCrSi高熵合金薄膜，其特征是：一个靶周期中，Si靶厚度为5mm～50mm。
11.如权利要求1或2所述的VAlTiCrSi高熵合金薄膜，其特征是：溅射过程中，溅射功率为1000W～3000W。
12.如权利要求1或2所述的VAlTiCrSi高熵合金薄膜，其特征是：基体偏压为-30V～-70V。
13.如权利要求1或2所述的VAlTiCrSi高熵合金薄膜，其特征是：基体温度为100℃～400℃。
14.如权利要求1或2所述的VAlTiCrSi高熵合金薄膜，其特征是：所述的基体材料包括不锈钢。
15.如权利要求1或2所述的VAlTiCrSi高熵合金薄膜在海水环境下的应用。
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