[发明专利]光侦测元件有效
| 申请号： | 201910251961.2 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN110491956B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 林清富;庄闳杰;林孟颉;黄柏瑞 | 申请（专利权）人： | 林清富 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/09 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张琳 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明一实施例提供一种利用金属半导体界面的光侦测元件，可应用于红外光的侦测。在另一实施例，该光侦测元件导入局域表面等离子体共振结构，以提升元件的光电响应与侦测波长范围。该光侦测元件可应用于测量各种入射光强度与测量可见光至中红外光波段(300nm～20μm)的入射光信号。 | ||
| 搜索关键词： | 侦测 元件 | ||
【主权项】：
1.一种光侦测元件，其特征在于包含：/n半导体，具有纳微米结构；/n欧姆接触电极，与该半导体的第一表面形成欧姆接触；/n金属电极，该金属电极与该纳微米结构的表面形成萧特基接触；/n该金属电极中的载子，受入射光子激发后形成电子电洞对或热载子而越过该金属电极与该半导体界面的萧特基能障，以形成光电流。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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