[发明专利]一种高可靠性IGBT及其制造方法在审
| 申请号： | 201910248514.1 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN109904225A | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;肖紫嫣;刘超;周琪钧;谯彬;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/08;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术，特别涉及一种高可靠性IGBT及其制造方法。本发明的主要方案是对常规FS‑IGBT背面的集电极结构进行改进，在常规的FS‑IGBT的N+缓冲层和P+集电极区之间引入一层轻掺杂N型层，形成P+集电极区—N‑层—N+缓冲层的集电极三明治结构。由于轻掺杂N型层的存在，使得本发明中内部PNP晶体管的共基极电流增益αPNP更小，故而不论是室温还是高温环境下，都有效地降低了器件在正向阻断模式下的漏电流。尤其是在高温的环境下，降低了器件的漏电流，有助于提高器件的可靠性。同时，器件的正向导通特性及关断特性均与常规FS‑IGBT相当。 | ||
| 搜索关键词： | 轻掺杂N型层 高可靠性 集电极区 缓冲层 漏电流 正向导通特性 半导体技术 集电极结构 三明治结构 电流增益 高温环境 常规的 共基极 集电极 有效地 关断 正向 制造 引入 改进 | ||
【主权项】：
1.一种高可靠性IGBT，包括集电极结构、漂移区结构、发射极结构和平面栅结构；所述集电极结构包括P+集电极区(10)和位于P+集电极区(10)下表面的金属化集电极(11)；所述漂移区结构包括N‑层(9)和位于N‑层(9)上表面的N+缓冲层(8)，以及位于N+缓冲层(8)上表面的N‑漂移区(1)，所述N‑层(9)位于P+集电极区(10)的上表面；所述发射极结构位于N‑漂移区(1)上层的一侧，发射极结构包括P型基区(3)、P+接触区(2)、N+发射区(7)和金属化发射极(4)；所述P型基区(3)嵌入设置在N‑漂移区(1)上层的一侧；所述N+发射区(7)位于P型基区(3)上层，所述P+接触区(2)与N+发射区(7)并列设置，且所述P+接触区(2)位于器件边缘，P+接触区(2)的结深大于P型基区(3)的结深；所述金属化发射极(4)位于P+接触区(2)和N+发射区(7)的上表面，且金属化发射极(4)仅覆盖部分N+发射区(7)；所述平面栅结构位于N‑漂移区(1)上表面远离金属化发射极(4)的一侧，包括栅氧化层(6)和多晶硅栅电极(5)；所述栅氧化层(6)与N‑漂移区(1)上表面接触，多晶硅栅电极(5)位于栅氧化层(6)的顶部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910248514.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种具有低EMI噪声的槽栅双极型晶体管
- 下一篇：具有场板的半导体器件
- 同类专利
- 专利分类
