[发明专利]参考电压产生电路有效
申请号: | 201910246179.1 | 申请日: | 2019-03-29 |
公开(公告)号: | CN109901655B | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 黄明永;肖军 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种参考电压产生电路,其包括:电阻、NMOS管以及补偿元件,所述补偿元件的第一端与所述电阻的第二端连接;所述补偿元件的第二端与所述NMOS管的漏极连接,NMOS管和电阻对电源电压进行初步钳位,形成初步的参考电压,进而通过补偿元件的设置,可根据所述参考电压的升降,自适应地调整流经所述补偿元件的电流,进而使所述参考电压随流经所述补偿元件之电流的升降而升降,由此,参考电压随电源电压的波动较小,在后续电路的影响下也不易产生波动,从而能够为后续电路提供较稳定的参考电压。 | ||
搜索关键词: | 参考 电压 产生 电路 | ||
【主权项】:
1.一种参考电压产生电路,其特征在于,包括:电阻,所述电阻的第一端用于接入电源电压,所述电阻的第二端处引出参考电压;NMOS管,所述NMOS管的源极接地,所述NMOS管的栅极与所述电阻的第二端连接;以及补偿元件,所述补偿元件的第一端与所述电阻的第二端连接;所述补偿元件的第二端与所述NMOS管的漏极连接,所述补偿元件用于根据所述参考电压的升降,自适应地调整流经所述补偿元件的电流,进而使所述参考电压随流经所述补偿元件之电流的升降而升降。
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