[发明专利]参考电压产生电路

说明书

本发明提供一种参考电压产生电路，其包括：电阻、NMOS管以及补偿元件，所述补偿元件的第一端与所述电阻的第二端连接；所述补偿元件的第二端与所述NMOS管的漏极连接，NMOS管和电阻对电源电压进行初步钳位，形成初步的参考电压，进而通过补偿元件的设置，可根据所述参考电压的升降，自适应地调整流经所述补偿元件的电流，进而使所述参考电压随流经所述补偿元件之电流的升降而升降，由此，参考电压随电源电压的波动较小，在后续电路的影响下也不易产生波动，从而能够为后续电路提供较稳定的参考电压。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种参考电压产生电路。

背景技术

在一些低功耗设计的领域中，常常需要在电源电压有波动的情况下，提供较稳定的参考电压，如在硅存储闪存单元中，要求在读操作时字线上施加2.7V的参考电压。现有技术中通常利用带隙基准电路产生参考电压，但由于带隙基准电路会引入额外的电压功耗，并不适合低功耗设计。常见的低功耗参考电压产生电路仅是单纯的电阻分压电路，如图1所示，其是一种参考电压产生电路的示意图，该电路主要采用两个分压电阻01(R1)、电阻02(R2)对电源电压Vdd进行分压，随着电源电压的变化，参考电压Vref也会相应变化，造成参考电压Vref随电源电压Vdd发生波动而导致偏差较大的问题。此外，由于参考电压后续电路的元器件工艺角的不同，即后续电路之等效电阻亦有不同，此亦会引起参考电压发生波动。

发明内容

本发明的目的在于提供一种参考电压产生电路，以解决现有的参考电压产生电路功耗大，或易随电源电压发生波动的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种参考电压产生电路，其包括：

电阻，所述电阻的第一端用于接入电源电压，所述电阻的第二端处引出参考电压；

NMOS管，所述NMOS管的源极接地，所述NMOS管的栅极与所述电阻的第二端连接；以及

补偿元件，所述补偿元件的第一端与所述电阻的第二端连接；所述补偿元件的第二端与所述NMOS管的漏极连接，所述补偿元件用于根据所述参考电压的升降，自适应地调整流经所述补偿元件的电流，进而使所述参考电压随流经所述补偿元件之电流的升降而升降。

可选的，在所述参考电压产生电路中，所述补偿元件为PMOS管，所述补偿元件的第一端为所述PMOS管的源极，所述补偿元件的第二端为所述PMOS管的漏极。

可选的，在所述参考电压产生电路中，所述PMOS管的栅极接地。

可选的，在所述参考电压产生电路中，所述PMOS管工作在线性区。

可选的，在所述参考电压产生电路中，所述NMOS管工作在饱和区。

可选的，在所述参考电压产生电路中，所述电源电压在1.3V～1.7V之间。

可选的，在所述参考电压产生电路中，所述参考电压在0.8V～1.0V之间，且所述参考电压随所述电源电压的升降而升降。

可选的，在所述参考电压产生电路中，所述电阻位于工艺角的中心位置。

可选的，在所述参考电压产生电路中，所述NMOS管具有正温度系数特性，所述补偿元件具有负温度系数特性。

可选的，在所述参考电压产生电路中，所述NMOS管位于工艺角的左下角位置。

综上所述，在本发明提供的参考电压产生电路中，NMOS管和电阻对电源电压进行初步钳位，形成初步的参考电压，进而通过补偿元件的设置，可根据所述参考电压的升降，自适应地调整流经所述补偿元件的电流，进而使所述参考电压随流经所述补偿元件之电流的升降而升降。由此，参考电压随电源电压的波动较小，在后续电路的影响下也不易产生波动，从而能够为后续电路提供较稳定的参考电压。

附图说明