[发明专利]参考电压产生电路有效
| 申请号： | 201910246179.1 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN109901655B | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 黄明永;肖军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 参考 电压 产生 电路 | ||
1.一种参考电压产生电路，其特征在于，包括：
电阻，所述电阻的第一端用于接入电源电压，所述电阻的第二端处引出参考电压；
NMOS管，所述NMOS管的源极接地，所述NMOS管的栅极与所述电阻的第二端连接；以及
补偿元件，所述补偿元件的第一端与所述电阻的第二端连接；所述补偿元件的第二端与所述NMOS管的漏极连接，所述补偿元件用于根据所述参考电压的升降，自适应地调整流经所述补偿元件的电流，进而使所述参考电压随流经所述补偿元件之电流的升降而升降；所述补偿元件为PMOS管，所述补偿元件的第一端为所述PMOS管的源极，所述补偿元件的第二端为所述PMOS管的漏极，所述PMOS管工作在线性区；
所述PMOS管的栅极接地。
2.根据权利要求1所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述NMOS管工作在饱和区。
3.根据权利要求1所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述电源电压在1.3V~1.7V之间。
4.根据权利要求3所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述参考电压在0.8V~1.0V之间，且所述参考电压随所述电源电压的升降而升降。
5.根据权利要求1所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述电阻位于工艺角的中心位置。
6.根据权利要求1所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述NMOS管具有正温度系数特性，所述补偿元件具有负温度系数特性。
7.根据权利要求1所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述NMOS管位于工艺角的左下角位置。
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