[发明专利]一种利用二氧化铪钝化增强型低维纳米探测器及制备方法

摘要

本发明公开了一种利用二氧化铪钝化增强型低维纳米探测器及制备方法。器件结构衬底自下而上依次为氧化物层、纳米半导体层、源电极，漏电极分别在纳米半导体层两侧，纳米半导体层其余部分被钝化介质层覆盖。器件制备步骤是将用CVD方法生长出的超薄硫化镉纳米带转移到具有氧化物层的硅衬底上，利用电子束曝光和热蒸发等工艺制作源、漏电极，然后再利用电子束曝光和原子层沉积等工艺制作二氧化铪钝化介质层，制备成低维纳米光电探测器。该探测器具有高灵敏、暗电流小、稳定性好、低功耗及宽光谱探测等特点。

主权项

1.一种利用二氧化铪钝化增强型低维纳米探测器，包括P型Si衬底(1)、SiO₂氧化层(2)、源极(4)和漏极(5)，其特征在于：所述的探测器的结构为：在P型Si衬底(1)上有SiO₂氧化层(2)，在SiO₂氧化层上有CdS纳米带(3)，在CdS纳米带上左右两端制作源极(4)和漏极(5)，在源极和漏极中间CdS纳米带上沉积钝化介质层(6)；所述的P型Si衬底(1)是硼重掺杂，电阻率小于0.05Ω·cm；所述的SiO₂氧化层(2)的厚度是280纳米；所述的CdS纳米带(3)的厚度是50～80纳米,长宽分别是10～20微米、2微米；所述的金属源极(4)和金属漏极(5)为Cr和Au电极，下层Cr厚度为15纳米，上层Au厚度为45纳米；所述的钝化介质层(6)是HfO₂，厚度是20纳米。