[发明专利]一种用于延伸波长InGaAs焦平面探测器的耦合方法

摘要

本发明公开了一种用于延伸波长InGaAs焦平面探测器的耦合方法，具体步骤如下：1)粘贴光敏芯片，2)减薄抛光，3)涂覆粘合剂，4)粘贴固定基板，5)固化粘合剂，6)分离抛光基板，7)光敏芯片与读出电路耦合，8)底充胶，9)分离固定基板。本发明通过在光敏芯片减薄抛光后引入固定基板，保证光敏芯片在耦合过程中具有良好的平面度，降低倒装焊时其与读出电路间的对准难度，提高耦合互连效率和质量，解决了由于延伸波长光敏芯片的自身形变所导致的焦平面探测器电学性能和可靠性降低的问题。同时粘合剂难溶于常规工艺中使用的有机溶剂，并采用匀胶方式涂覆于固定基板表面，工艺简便、可操作性强、重复性好，且具有很好的工艺兼容性和通用性。

主权项

1.一种用于延伸波长InGaAs焦平面探测器的耦合方法，耦合的具体方法包括如下步骤：1)粘贴光敏芯片，2)减薄抛光，3)涂覆粘合剂，4)粘贴固定基板，5)固化粘合剂，6)分离抛光基板，7)光敏芯片与读出电路耦合，8)底充胶，9)分离固定基板，其特征在于：在步骤3)中所述的粘合剂，材料为树脂，采用匀胶方式进行涂覆，匀胶前需将粘合剂覆盖于固定基板正面，匀胶条件为：转速为500～2000转/分，时长为5～20秒；在步骤4)中所述的固定基板，材料为蓝宝石片双抛片，平面度小于5μm，长宽尺寸与光敏芯片相同，厚度为100～1000μm；粘贴时采用吸盘吸附的方式将固定基板翻转，对准粘贴于光敏芯片背面；在步骤5)中所述的固化粘合剂，采用加热方式固化，固化温度范围为20～50℃，且固化后粘合剂难溶于三氯乙烯、丙酮和无水乙醇；在步骤8)中所述的底充胶，所用填充物在固化后难溶于步骤9)中分离固定基板时所使用的溶剂。