[发明专利]一种用于延伸波长InGaAs焦平面探测器的耦合方法

权利要求书

1.一种用于延伸波长InGaAs焦平面探测器的耦合方法，耦合的具体方法包括如下步骤：1)粘贴光敏芯片，2)减薄抛光，3)涂覆粘合剂，4)粘贴固定基板，5)固化粘合剂，6)分离抛光基板，7)光敏芯片与读出电路耦合，8)底充胶，9)分离固定基板，其特征在于：

在步骤3)中所述的粘合剂，材料为树脂，采用匀胶方式进行涂覆，匀胶前需将粘合剂覆盖于固定基板正面，匀胶条件为：转速为500～2000转/分，时长为5～20秒；

在步骤4)中所述的固定基板，材料为蓝宝石片双抛片，平面度小于5μm，长宽尺寸与光敏芯片相同，厚度为100～1000μm；粘贴时采用吸盘吸附的方式将固定基板翻转，对准粘贴于光敏芯片背面；

在步骤5)中所述的固化粘合剂，采用加热方式固化，固化温度范围为20～50℃，且固化后粘合剂难溶于三氯乙烯、丙酮和无水乙醇；

在步骤8)中所述的底充胶，所用填充物在固化后难溶于步骤9)中分离固定基板时所使用的溶剂。