[发明专利]一种半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201910239686.2 | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111755515A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其形成方法，包括以下步骤：提供衬底，衬底上形成有去除部分厚度的鳍部后形成的第一子鳍部；对第一子鳍部远离衬底的一端进行调整，使得S1≥S2，其中，S1为第一子鳍部的一端的端面的中间区域到衬底的距离，S2为第一鳍部的端面的边缘区域到衬底的距离；并且在垂直于第一子鳍部的长度方向形成的截面中，第一子鳍部远离衬底一侧的轮廓线呈平滑过渡。通过该半导体器件的形成方法制成的半导体器件，第一子鳍部的一端的端面的中间区域到衬底的距离大于等于其边缘区域到衬底的距离，且第一子鳍部远离衬底一侧的轮廓线呈平滑过渡，可以减小第一子鳍部的底部区域的受到电压击穿的几率，从而优化半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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