[发明专利]光耦合传输材料、光耦合传输材料的制备方法及发光器件在审
申请号: | 201910239101.7 | 申请日: | 2019-03-27 |
公开(公告)号: | CN110041256A | 公开(公告)日: | 2019-07-23 |
发明(设计)人: | 黄金昌;罗佳佳;杨林;张曲 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | C07D219/02 | 分类号: | C07D219/02;C07D401/10;C07D413/10;H01L51/52 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 在本申请所提供的光耦合传输材料、光耦合传输材料的制备方法及发光器件中,通过形成棒状结构的光耦合传输材料,使得所述光耦合输出材料的折射率大于1.7,所述光耦合传输材料形成的发光器件的光耦合传输层的厚度为30纳米‑80纳米,从而形成折射率高的光耦合传输材料、光耦合传输材料的制备方法以及厚度小的发光器件。 | ||
搜索关键词: | 光耦合 传输材料 发光器件 制备 折射率 棒状结构 输出材料 传输层 申请 | ||
【主权项】:
1.一种光耦合输出材料,其特征在于,所述光耦合输出材料的结构式为
其中,所述R1的结构式为![]()
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中的一种;所述R2的结构式为![]()
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其中的一种;所述R3为甲基或者乙基;所述R4为甲基或者乙基;所述R5为甲基或者乙基;所述R6为甲基或者乙基。
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