[发明专利]光耦合传输材料、光耦合传输材料的制备方法及发光器件在审
申请号: | 201910239101.7 | 申请日: | 2019-03-27 |
公开(公告)号: | CN110041256A | 公开(公告)日: | 2019-07-23 |
发明(设计)人: | 黄金昌;罗佳佳;杨林;张曲 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | C07D219/02 | 分类号: | C07D219/02;C07D401/10;C07D413/10;H01L51/52 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光耦合 传输材料 发光器件 制备 折射率 棒状结构 输出材料 传输层 申请 | ||
在本申请所提供的光耦合传输材料、光耦合传输材料的制备方法及发光器件中,通过形成棒状结构的光耦合传输材料,使得所述光耦合输出材料的折射率大于1.7,所述光耦合传输材料形成的发光器件的光耦合传输层的厚度为30纳米‑80纳米,从而形成折射率高的光耦合传输材料、光耦合传输材料的制备方法以及厚度小的发光器件。
技术领域
本申请涉及显示领域,具体涉及一种光耦合传输材料、光耦合传输材料的制备方法及发光器件。
背景技术
在器件结构中,光耦合输出材料(Coupling Layer,CPL)所发挥的作用巨大,高折射率(N)的材料不仅能够提高器件效率,同时能够减薄材料的厚度,达到节约材料降低成本的目的,但是,在现有技术中,光耦合输出材料的折射率低,因此,光耦合输出材料所形成的光耦合输出层的厚度往往大于85毫米,导致发光器件的厚度较大,不符合发光器件薄型化的发展趋势。因此,有必要提供一种折射率高的光耦合传输材料、光耦合传输材料的制备方法以及厚度小的发光器件。
发明内容
本申请提供一种光耦合传输材料、光耦合传输材料的制备方法及发光器件,以实现折射率高的光耦合传输材料、光耦合传输材料的制备方法以及厚度小的发光器件。
一种光耦合输出材料,所述光耦合输出材料的结构式为其中,所述R1的结构式为中的一种;所述R2的结构式为其中的一种;所述R3为甲基或者乙基;所述R4为甲基或者乙基;所述R5为甲基或者乙基;所述R6为甲基或者乙基。
在本申请所提供的光耦合输出材料中,在波长为400纳米到640纳米的范围内,所述光耦合输出材料的折射率大于1.7。
在本申请所提供的光耦合输出材料中,所述R3、R4、R5、和R6均为甲基。
一种光耦合输出材料的制备方法,包括:
提供第一反应物和第二反应物,所述第一反应物和第二反应物进行反应生成第一中间产物,其中,所述第一反应物的结构式为所述第二反应物的结构式为R1-B(OH)2,所述第一中间产物的结构式为其中,所述R1的结构式为中的一种;所述R3为甲基或者乙基;所述R4为甲基或者乙基;所述R5为甲基或者乙基;所述R6为甲基或者乙基;
提供第三反应物,所述第一中间产物和所述第三反应物进行反应生成所述光耦合输出材料,其中,所述第三反应物的结构式为H-R2,所述光耦合输出材料的结构式为其中,所述R2的结构式为其中的一种。
在本申请所提供的光耦合输出材料的制备方法中,在所述第一反应物和第二反应物进行反应生成第一中间产物中,所述第一反应物的摩尔量和第二反应物的摩尔量的对应关系为10毫摩的所述第一反应物对应8毫摩-12毫摩的所述第二反应物。
在本申请所提供的光耦合输出材料的制备方法中,所述第一反应物和第二反应物在第一溶剂中进行反应生成第一中间产物,所述第一溶剂包括甲苯、乙醇、乙烯、全氯乙烯、三氯乙烯、丙酮、乙烯乙二醇醚和三乙醇胺中的一种或几种的组合,所述第一溶剂中具有第一添加剂,所述第一添加剂包括四三苯基磷钯、碳酸铯、氢氧化钾、氢氧化钠、叔丁醇钠(NaOt-Bu)和碳酸氢钠中的一种或几种的组合。
在本申请所提供的光耦合输出材料的制备方法中,在所述第一中间产物和所述第三反应物进行反应生成所述光耦合输出材料中,所述第一中间产物的摩尔量和所述第三反应物的摩尔量的对应关系为5毫摩的所述第一中间产物对应4毫摩-7毫摩的所述第三反应物。
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