[发明专利]一种后栅极铁电栅场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种后栅极铁电栅场效应晶体管，包括由底层到顶层依次设置的衬底，隔离区，栅结构，侧墙，源漏区，第一金属硅化物层以及层间介质层；还提出了一种后栅极铁电栅场效应晶体管的制备方法，根据氧化铪基铁电栅场效应晶体管的结构特点和氧化铪基铁电薄膜的结晶特性，在器件的制备过程中首先引入虚拟栅极，然后经历高温退火使未退火的氧化铪基薄膜结晶形成铁电相，最后去掉虚拟栅极，沉积栅电极层以满足器件的性能需求，具有良好的应用前景。

主权项

1.一种铁电栅场效应晶体管，其特征在于，包括以下结构：衬底，隔离区，对称设置在所述衬底的两端，其上表面不低于所述衬底的上表面，且底面高于所述衬底的底面；栅结构，设置在所述衬底上表面的中部；侧墙，设置所述栅结构外侧，其内表面紧贴所述栅结构；源漏区，包括源区和漏区，由所述隔离区的内侧朝向所述衬底的中部延伸形成，其上表面与所述衬底齐平，底面高于所述隔离区的底面；第一金属硅化物层，由所述隔离区的内侧朝向所述侧墙延伸形成，其上表面高于所述衬底的上表面，底面高于所述源漏区的底面，且所述第一金属硅化物层的长度小于所述源漏区长度；层间介质层，由所述隔离区的外侧朝向所述侧墙延伸形成，其上表面与所述侧墙上表面齐平，其下表面紧贴所述隔离区和第一金属硅化物层的上表面。